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DMD無掩膜光刻機(jī)技術(shù)簡(jiǎn)介
材料來源:LFWC          

光刻是指利用光學(xué)復(fù)制的方法把圖形印制在光敏記錄材料上,然后通過刻蝕的方法將圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上來制作電子電路的技術(shù)。其中光刻系統(tǒng)被稱為光刻機(jī),帶有圖形的石英板稱為掩膜,光敏記錄材料被稱為光刻膠或抗蝕劑。具體光刻流程如下圖所示

光刻技術(shù)是集成電路制造、印刷電路板制造以及微機(jī)電元件制造等微納加工領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。進(jìn)入21世紀(jì)以來,隨著電子信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展,集成電路的需求出現(xiàn)了井噴式的增長。使的對(duì)掩膜的需求急劇增加,目前制作掩膜的主要技術(shù)是電子束直寫,但該制作效率非常低下,并且成本也不容小覷,在這種背景下人們把目光轉(zhuǎn)移到了無掩膜光刻技術(shù)。

備受關(guān)注的無掩膜光刻技術(shù)大概可以分為兩類:1)帶電粒子無掩膜光刻;例如電子束直寫和離子束光刻技術(shù)等。2)光學(xué)無掩膜技術(shù);例如DMD無掩膜光刻技術(shù)、激光直寫、干涉光刻技術(shù)、衍射光學(xué)元件光刻技術(shù)等。

其中DMD無掩膜光刻技術(shù)是從傳統(tǒng)光學(xué)光刻技術(shù)衍生出的一種新技術(shù),因?yàn)槠淦毓獬上竦姆绞脚c傳統(tǒng)投影光刻基本相似,區(qū)別在于使用數(shù)字DMD代替?zhèn)鹘y(tǒng)的掩膜,其主要原理是通過計(jì)算機(jī)將所需的光刻圖案通過軟件輸入到DMD芯片中,并根據(jù)圖像中的黑白像素的分布來改變DMD芯片微鏡的轉(zhuǎn)角,并通過準(zhǔn)直光源照射到DMD芯片上形成與所需圖形一致的光圖像投射到基片表面,并通過控制樣品臺(tái)的移動(dòng)實(shí)現(xiàn)大面積的微結(jié)構(gòu)制備。設(shè)備原理圖圖下圖所示。相對(duì)于傳統(tǒng)的光刻設(shè)備,DMD無掩膜光刻機(jī)無需掩膜,節(jié)約了生產(chǎn)成本和周期并可以根據(jù)自己的需求靈活設(shè)計(jì)掩膜。相對(duì)于激光直寫設(shè)備,DMD芯片上的每一個(gè)微鏡都可以等效看成一束獨(dú)立光源,其曝光的過程相當(dāng)于多光束多點(diǎn)同時(shí)曝光可極大提高生產(chǎn)效率特別是對(duì)于結(jié)構(gòu)繁瑣的圖形。

上海昊量光電設(shè)備有限公司為NEOARK公司的國內(nèi)代理,提供高性價(jià)比DMD無掩膜光刻機(jī)。該設(shè)備光源采用波長為365nm的紫外LED,相比于激光或者汞燈,LED光源具有更長的使用壽命穩(wěn)定性。LED光源的使用壽命可達(dá)到10000小時(shí)。采用10倍物鏡單次曝光面積達(dá)到1mm0.6mm,并在1s 內(nèi)完成曝光。若配備電動(dòng)平移臺(tái),可完成套刻和光刻拼接,拼接面積可達(dá)25mm * 25mm,拼接誤差優(yōu)于0.5μm 并且擁有自動(dòng)聚焦和對(duì)準(zhǔn)功能。

應(yīng)用案例:

   


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