度亙核芯基于自主開發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的單模808nm半導體激光芯片，推出國際領先的高性能蝶形光纖耦合模塊，率先在國內(nèi)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，填補了國內(nèi)空白。

應用背景

單模高性能808nm泵浦光，為緊湊型光纖激光器提供可靠核心動力。作為摻釹增益介質(zhì)（如Nd:YAG、Nd:YVO₄）的首選泵浦波長，808nm單模泵浦源在飛秒激光振蕩器、雙光子激發(fā)顯微成像等前沿研究領域應用廣泛。另外，因其極佳的頻率穩(wěn)定性和低噪聲特性，廣泛應用于深空探測中的干涉儀、超高精度激光測距等眾多尖端科學研究領域。

單模808nm泵浦源憑借其卓越的光束質(zhì)量與系統(tǒng)可靠性保障，已成為高端激光系統(tǒng)的核心組件。度亙核芯在單模激光芯片與模塊領域深耕細研，推出系列高功率、高可靠的單模產(chǎn)品，為前沿科學研究、光通信、工業(yè)加工及智能感知系統(tǒng)等提供核心泵浦動力。

創(chuàng)新成果與突破

單模高功率808nm半導體激光芯片和光纖耦合模塊

•高功率輸出：通過精細化的外延結(jié)構(gòu)設計與低應力工藝制備，實現(xiàn)了芯片輸出功率最高突破1200mW，耦合模塊輸出功率最高超過600mW；

•高效率：芯片最高電光轉(zhuǎn)換效率達到55%，在700mW工作條件下，電光轉(zhuǎn)換效率依然保持在53%；模塊400mW工作條件下，電光轉(zhuǎn)換效率超過34%；

•高可靠性：針對808nm單模激光芯片功率衰退這一痛點問題，采用突破性的芯片與器件結(jié)構(gòu)設計以及工藝優(yōu)化，大幅改善了功率衰退現(xiàn)象，在700mW的工作條件下，保障了芯片的可靠工作。

圖1 單模808nm高功率芯片的L-I-V-E特性曲線

圖2 光纖耦合模塊特性曲線

圖3 不同電流對應光譜圖

產(chǎn)品規(guī)格

關于度亙

度亙核芯以高端激光芯片的設計與制造為核心競爭力，聚焦光電產(chǎn)業(yè)鏈上游，擁有覆蓋化合物半導體激光器芯片設計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗證以及功能模塊等全套工程技術能力和量產(chǎn)制造能力，專注于高性能、高功率、高可靠性光電芯片及器件的設計、研發(fā)和制造，產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)加工、智能感知、光通信、醫(yī)療健康和科學研究等領域，致力打造具有國際行業(yè)地位的產(chǎn)品研發(fā)中心和生產(chǎn)制造商。

轉(zhuǎn)自：度亙核芯

注：文章版權(quán)歸原作者所有，本文內(nèi)容、圖片、視頻來自網(wǎng)絡，僅供交流學習之用，如涉及版權(quán)等問題，請您告知，我們將及時處理。