炬光科技推出兩款小型化高功率半導體激光器疊陣GS09和GA03，依托炬光科技的共晶鍵合、界面材料與表面工程、熱管理等核心技術，實現(xiàn)了集成技術的進步、設計效率的提高、熱管理能力的升級以及產(chǎn)品可靠性和壽命的提升。

GS09將芯片間距從前代產(chǎn)品的0.73mm縮小到0.43mm，顯著降低疊陣發(fā)光區(qū)寬度，同時疊陣中的芯片數(shù)量可拓展到10bar，實現(xiàn)最高1kW的峰值功率輸出。GA03在前代產(chǎn)品的基礎上將整體寬度從18.2mm大幅降低到7.45mm，并保持相同的單巴輸出功率約為200W，產(chǎn)品芯片數(shù)量可以橫向縱向拓展到3×10陣列（30bar），實現(xiàn)最高6kW的峰值輸出。

文章來源：炬光科技

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